RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3137
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link