RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
63
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3792
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link