RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
63
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3154
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link