RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3614
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link