RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3291
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link