RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
63
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2725
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link