RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.4
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1424
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link