RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2839
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link