RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2618
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link