RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
63
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2824
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link