RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
63
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3635
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link