RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
4033
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link