RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
4069
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link