RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
63
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2301
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link