RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2960
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link