RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
63
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3245
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link