RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
63
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3845
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link