RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
63
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2764
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link