RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
63
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.8
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1512
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link