RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2856
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link