RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
74
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
74
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1495
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link