RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2623
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link