RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
63
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2913
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link