RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
63
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3116
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link