RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
63
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.2
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.4
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1704
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link