RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
63
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2185
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link