STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 13.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    38 left arrow 63
    Wokół strony -66% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.2 left arrow 1,447.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 5300
    Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    63 left arrow 38
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,231.0 left arrow 13.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,447.3 left arrow 10.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    478 left arrow 2394
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania