RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
63
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
50
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2512
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link