RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
63
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2696
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link