RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
4240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link