RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2712
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link