RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
63
Wokół strony -232% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3543
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link