RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3143
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link