RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1990
3371
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Porównanie pamięci RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link