RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1990
2942
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Porównanie pamięci RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link