RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
68
Wokół strony -134% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
3792
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link