RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
68
Wokół strony -134% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
3734
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link