RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
68
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
3224
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link