RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
68
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2925
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link