RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
68
Wokół strony -134% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
3076
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link