RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
106
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
106
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1252
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link