RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3155
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link