RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3120
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link