RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1998
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link