RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3509
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link