RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
4008
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link