RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2651
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link