RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3396
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link