RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3593
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link