RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2903
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link